功能描述：MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR

制造商：texas instruments

系列：NexFET??

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：8V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7.4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.05V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：8.5nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：-6V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1390pF @ 4V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：600mW（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：9.9 毫欧 @ 1A， 4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：4-PICOSTAR

封装/外壳：4-XFLGA

标准包装：1

CSD23201W10

CSD23202W10

CSD23202W10T

CSD23203W

CSD23203WT

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CSD23381F4T

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CSD23382F4T

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